高功率半导体激光器808nm外延技术开发
预算价格:1000万
  • 技术领域:半导体激光器
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  • 联系地址:西安市高新区锦业路69号瞪羚谷B座6层
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Requirements Details
拟投入资金 时间期限
1000万
半导体激光器在制造、通讯、国防等诸多领域均具有重要应用,近年来国内外半导体激光器产业均保持着高速增长。随着国防军工、精密加工的迅猛发展,激光产业对高端半导体激光器需求急剧增加。高功率半导体激光芯片是整个激光产业链的技术核心与源头,是带动产业发展的关键。由于其重大战略意义,国外对高端半导体激光器芯片实行技术封锁,国内封装应用行业几乎全部由国外厂商供应,核心技术受制于人。国产激光器芯片主要集中于科研院所的小批量生产自用,缺乏规模化供应高端、高功率半导体激光器芯片的能力。艺技术团队,使得立芯公司能够快速掌握III-V化合物半导体激光外延材料(如808nm 10W高功率半导体激光芯片采用的GaAs材料)的关键工艺技术,从而尽快将立芯现有的2台先进的Axtron G4 MOCVD(金属有机化合物化学气相沉淀)生长设备投入生产运行。
(1)808nm外延片现场工艺调试
按计划完成808nm外延片的研制工作,制作的外延片产品满足考核指标;
(2)808nm外延导入生长
研制的808nm外延片产品导入生产,并使得立芯公司拥有批量稳定制作的能力;
(3)808nm外延测试方案与方法
制定外延片的测试流程及方式方法;
(4)工艺菜单输出
 制定可靠的工艺菜单,保证外延批量生产长期正常运行和调整;
(5)现场培训
 培训包括工艺、设备、测试、生产操作等拥有相关技能的工程师和操作员。