高能射线成像半导体探测器专用ASIC芯片设计
预算价格:200万
  • 技术领域:新材料
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Requirements Details
拟投入资金 时间期限
200万
碲锌镉(简称CZT)是目前综合性能最佳的第三代核辐射探测材料,尤其是在高能射线成像方面,可展望的应用领域十分广泛。但目前针对CZT像素探测器的ASIC芯片尚无国产芯片,国外进口芯片价格高昂。本项目旨在基于我公司国际领先的CZT材料和期间制备技术基础上,开发CZT像素探测器芯片,可为光子技术型或电流积分型。针对光子技术成像或电流积分成像应用需求,提炼关键电路指标参数,进行高密度CZT专用ASIC芯片的整体布局和结构设计。(1)光子计数型ASIC:像素面积300μm×300μm,单像素噪声≤100e,5能窗甄别,单通道计数率≥2Mcps,单颗芯片256×256像素可拼接,像素一致性≥90%;(2)电流积分型ASIC:读出电子学噪声小于250e;动态范围≥70dB;ASIC芯片耐辐照寿命≥1kGy。