目前国内外半导体测试仪器电压等级 1000V，电流等级 40A，存在电源瞬时功率低、功率放大器输出电流不足、大电流下高压不足等技术瓶径问题，尤其是随着半导体制造材料的升级迭代，逐渐出现了SiC、GaN等新型材料逐渐替代流传统的si基材料，使得新型半导体器件开关速度更快，现需研发半导体器件自动测试系统以适应新器件的测试需求。研制半导体器件自动测试系统，本系统要求对MOS、IPM、MOSFET、IGBT、TVS、MOVs等多个大类的高速特大功率半导体器件的全系列、全参数进行产线快速、高效、可靠的测试及分析。1.测试系统结构尺寸：建议 1600mm*1100mm*1280mm 2.主极电压：50V-3000V 分辨率：小于 1mV 3.主极电流：20A-1500A 分辨率：小于 1nA 4.控制极电压：1V-20V 分辨率：小于 1mV 5.控制极电流：1A-10A 分辨率：小于 1nA 6.采用脉冲测试法，脉宽300us，符合国军标的规定； 7.采用多级开尔文技术，系统稳定性高，测试结果准确； 8.采用三级保护技术，系统可靠，对被测器件无损伤。