目前量产及实验室TBC电池的poly si均为LPCVD法制备，厚度均在230nm以上。过厚的poly厚度会导致LPCVD的石英工装及炉管寿命缩减，增加成本。同时，过厚的poly厚度无法实现PECVD法较好的生长poly si（目前了解主要问题为爆膜、膜层均匀性差、钝化效果差问题）。
通过降低poly si厚度至150nm以内，解决以上两个问题。
（包含目前主要产品之外，在新产品的研发方向、性能指标等方面的技术需求。量化指标的形式）（可另附页）
根据目前调研情况，TBC电池的poly厚度偏厚降低至200nm，会导致效率损失0.2%以上，主要原因为接触损失及源穿透过量导致隧穿层钝化减弱。
现有PECVD法制备厚poly时会出现爆膜问题，通过高温PECVD法进行制备可以改善，但是高温PECVD法制备的poly硅平均厚度达到250nm时，片间厚度极差达到100nm，目前还在优化方案。