2016年于重庆大学物理学院获理学学士学位，2020年于华中科技大学光学与电子信息学院获得微电子学与固体电子学博士学位；2020年至2024年在北京大学电子学院从事博士后研究，2024年入职北京大学电子学院。

胡倩澜主要研究领域为基于氧化物半导体的器件与应用研究。近年来的主要工作包括：开发了原位等离子体处理与新型欧姆接触工程，首次实现基于氧化物半导体的断电非易失动态存储器（DRAM），性能处于国际领先水平，证明了氧化物半导体在低刷新功耗、高存储密度DRAM器件领域的应用潜力；开发了超短沟柔性氧化物射频器件制备工艺，首次实现了工作频率突破10 GHz的氧化物半导体的柔性射频器件，并具有优异的弯曲特性和变温鲁棒性，证明了氧化物半导体在大面积、柔性可穿戴无线通讯领域的发展潜力；系统研究并优化了氧化物半导体顶栅器件的可靠性，实现了最高直流和射频性能，展示了非晶氧化物半导体在面向三维集成的高速器件和电路领域的应用潜力。在Advanced Materials、Science Advances, IEEE Electron Device Letters, Applied Physics Letters, IEEE Transactions on Electron Devices,IEEE Journal of the Electron Devices Society和国际顶级会议IEEE International Electron Devices Meeting (IEDM)等上发表学术论文30余篇。