- 所在单位：北京大学
- 所在城市：北京
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教育背景
2005年 复旦大学 微电子学士
2009年 普渡大学电子与计算机工程系博士
工作经历
IBM T.J Watson 研究中心研究员，华中科技大学教授。
研究成果（论文、著作、科研项目、荣誉奖项）
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Demonstration of Vertically-stacked CVD Monolayer Channels: MoS2 Nanosheets GAA-FET with Ion>700 μA/μm and MoS2/WSe2 CFET |
IEEE IEDM |
2021 |
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10-nm Channel Length Indium-Tin-Oxide transistors with Ion = 1860 μA/μm, Gm = 1050 μS/μm at Vds = 1 V with BEOL Compatibility |
IEEE IEDM |
2020 |
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BEOL Compatible 15-nm Channel Length Ultrathin Indium-Tin-Oxide Transistors with Ion = 970 μA/μm and On/off Ratio Near 1011 at Vds = 0.5 V |
IEEE IEDM |
2019 |
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A transverse tunnelling field-effect transistor made from a van der Waals heterostructure |
Nature Electronics |
2020 |
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Nanometre-thin indium tin oxide for advanced high-performance electronics |
Nature Materials |
2019 |
